由东南大学牵头起草的技术报告T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》已完成征求意见稿的编制,技术报告征求意见稿按照CASAS技术报告制定程序,反复斟酌、修改、编制而成,起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法,2022年9月19日起开始征求意见,截止日期2022年10月20日。

T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》梳理了GaN HEMT动态电阻上升的产生机理,分析了相关影响因素;汇总了动态电阻测试电路;希望通过本报告的编写,器件制造商和器件应用工程师可对动态电阻的机理及测试有更加深入的了解,并能在此基础上结合产业应用进展进一步讨论,发掘出更多更详尽、完善的技术解决方案,形成更多的产业共识,从而帮助正确评估动态电阻引起的系统性和可靠性问题。

“智能功率集成芯片与系统”创新团队来自东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,团队负责人为东南大学首席教授孙伟锋教授,团队由教师9名,博士后2名、博士生及硕士生若干名组成。团队专注于功率半导体技术研究,主要包括:功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、功率半导体器件模型开发、高压电路设计、相关功率可靠性研究、功率开关电源、开关磁阻电机驱动器,此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。团队研究成果获国家技术发明二等奖、教育部技术发明一等奖、江苏省科学技术进步一等奖等省部级奖项,发表IEEE期刊论文,ISPSD和ISSCC会议论文等共计200余篇,获国内外发明专利100多项。

东南大学、浙江大学、南方科技大学、西安电子科技大学、大连理工大学、英诺赛科(珠海)科技有限公司、西交利物浦大学、工业和信息化部电子第五研究所、无锡芯朋微电子股份有限公司、江苏能华微电子600360)科技发展有限公司……

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